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2021.11.15
新一代半导体材料氧化镓单晶的制备方法及其超精密加工技术研究进展(2)
在晶体生长尺寸方面，光浮区法是利用大功率光源和复杂光学系统对原料棒进行聚焦加热，产生熔融区的面积受限于光源的功率和能量的传输效率，导致光浮区法难以制备大尺寸(≥50 mm)单晶晶棒?提拉法生长晶体时尺寸的大小取决于熔体温度控制和提拉速率，保证籽晶周围的熔体有一定的过冷度，熔体的其余部分保持过热，将有利于大尺寸单晶的生长因此具有稳定的提拉旋转速率以及精准控制的熔体温度是提拉法制备高质量大尺寸单晶材料
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2021.11.15
新一代半导体材料氧化镓单晶的制备方法及其 超精密加工技术研究进展
半导体超精密加工摘要：氧化镓(β-Ga2O3)单晶是继碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)之后，制造超高压功率器件、深紫外光电子器件、高亮度 LED 等高性能半导体器件的新一代半导体材料，大尺寸低缺陷氧化镓单晶的制备方法以及高表面质量氧化镓晶片的超精密加工技术是实现氧化镓半导体器件工业应用的瓶颈之一。针对易产生结构缺陷的氧化镓单晶的制备，系统阐述焰熔法、提拉法、光浮区法、导模法、布里奇曼法等氧化镓单
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2021.11.15
第三代半导体材料之氮化镓（GaN）
第三代半导体即宽禁带半导体，以碳化硅和氮化镓为代表，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件，已成为全球半导体技术和产业竞争焦点。第三代半导体材料五高特性【一】 从能带角度看三个半导体材料时代第三代半导体材料在
